集成電路製造技術-原理與工藝 (第3版) 田麗 9787121453694 【台灣高等教育出版社】

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書名：集成電路製造技術-原理與工藝 (第3版)
ISBN：9787121453694
出版社：電子工業
著編譯者：田麗
叢書名：國家級一流本科線上課程教材
頁數：322
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1525255
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內容簡介

本書是哈爾濱工業大學「國家集成電路人才培養基地」教學建設成果，系統地介紹硅基芯片製造流程中普遍採用的各單項工藝技術的原理、問題、分析方法、主要設備及其技術發展趨勢，全書共6個單元14章。第一單元介紹硅襯底，主要介紹單晶硅的結構特點，單晶硅錠的拉制及硅片（包含體硅片和外延硅片）的製造工藝及相關理論。第二～五單元介紹硅基芯片製造基本單項工藝（氧化與摻雜、薄膜製備、光刻、工藝集成與封裝測試）的原理、方法、設備，以及所依託的技術基礎及發展趨勢。第六單元介紹集成電路製造工藝監控與生產實習實驗；附錄A介紹工藝模擬和SUPREM軟體。 本書配套微課、電子課件、習題答案等，可幫助學生從理論走向生產實踐，對集成電路和微電子產品製造技術的原理與工藝全過程有更深入的了解。 本書可作為高等學校集成電路學科、微電子科學與工程、電子科學與技術等學科和相關專業高年級本科生和研究生學習集成電路製造技術相關課程的教材，也可作為集成電路和微電子領域及相關專業技術人員了解集成電路製造技術工藝的參考書。

目錄

緒論
0 1 何謂集成電路製造技術
0 2 集成電路製造技術發展歷程
0 3 集成電路製造工藝特點
0 3 1 超凈環境
0 3 2 超純材料
0 3 3 批量複製
0 4 內容結構
第一單元 硅襯底
第1章 單晶硅襯底
1 1 硅晶體的結構特點
1 1 1 硅的性質
1 1 2 硅晶胞
1 1 3 硅單晶的晶向、晶面
1 2 單晶硅襯底的製備
1 2 1 多晶硅的製備
1 2 2 單晶硅生長
1 3 硅晶體缺陷
1 3 1 點缺陷
1 3 2 線缺陷
1 3 3 面缺陷和體缺陷
1 4 硅晶體中的雜質
1 4 1 雜質對硅電學性質的影響
1 4 2 晶體摻雜
1 4 3 固溶度和相圖
1 5 切制硅片
1 5 1 切片工藝
1 5 2 硅片規格及用途
本章小結
第2章 外延
2 1 概述
2 1 1 外延概念
2 1 2 外延工藝種類
2 1 3 外延工藝用途
2 2 1 氣相外延
2 2 硅的氣相外延工藝
2 2 2 外延原理
2 2 3 影響外延生長速度的因素
2 2 4 外延摻雜
2 2 5 外延設備
2 2 6 外延技術
2 3 分子束外延
2 3 1 工藝及原理
2 3 2 外延設備
2 3 3 MBE工藝特點
2 4 其他外延方法
2 4 1 液相外延
2 4 2 固相外延
2 4 3 先進外延技術及發展趨勢
2 5 外延缺陷與外延層檢測
2 5 1 外延缺陷類型及分析檢測
2 5 2 圖形漂移和畸變現象
2 5 3 外延層參數測量
本章小結
習題
第二單元 氧化與摻雜
第3章 熱氧化
3 1 二氧化硅薄膜概述

第三單元 薄膜製備
第四單元 光刻
第五單元 工藝集成與封裝測試
第六單元 工藝監控與系列實驗
附錄A SUPREM模擬
參考文獻
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