半導體工藝與集成電路製造技術 韓鄭生 羅軍 殷華湘 趙超 9787030750600 【台灣高等教育出版社】

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書名：半導體工藝與集成電路製造技術
ISBN：9787030750600
出版社：科學
著編譯者：韓鄭生 羅軍 殷華湘 趙超
頁數：558
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1514116
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內容簡介

本書將系統地介紹微電子製造科學原理與工程技術，覆蓋集成電路製造所涉及的晶圓材料、擴散、氧化、離子注人、光刻、刻蝕、薄膜淀積、測試及封裝等單項工藝，以及以互補金屬氧化物半導體（CMOS）集成電路為主線的工藝集成。對單項工藝除了講述相關的物理和化學原理外，還介紹一些相關的工藝設備。 本書可作為高等院校微電子、集成電路及微電子機械、光電器件、感測器等相關專業研究生的教材和參考書。

目錄

前言
第1章 半導體製造緒論
1 1 引言
1 2 半導體產業史
1 3 晶圓製造廠
1 3 1 晶圓製備
1 3 2 晶圓製造
1 3 3 晶圓測試
1 3 4 裝配與封裝
1 3 5 終測與考核試驗
1 4 集成電路
1 4 1 集成電路的功能和性能
1 4 2 集成電路的可靠性
1 4 3 集成電路的製造成本
1 5 小結
習題
參考文獻
第2章 半導體襯底材料
2 1 相圖與固溶度
2 2 晶體結構
2 3 晶體缺陷
2 4 晶圓製備及規格
2 5 清洗工藝
2 5 1 晶圓清洗
2 5 2 濕法清洗設備
2 5 3 其他清洗方案
2 6 小結
習題
參考文獻
第3章 擴散
3 1 擴散方程
3 2 雜質擴散機制與擴散效應
3 3 擴散工藝
3 3 1 固態源擴散
3 3 2 液態源擴散
3 3 3 氣態源擴散
3 3 4 快速氣相摻雜
3 3 5 氣體浸沒激光摻雜
3 4 擴散雜質分佈
3 4 1 恆定表面源擴散
3 4 2 有限表面源擴散
3 5 擴散雜質的分析表徵
3 5 1 薄層電阻
3 5 2 遷移率
3 5 3 載流子濃度測量
3 6 雜質在二氧化硅中的擴散
3 7 雜質分佈的數值模擬
3 8 小結
習題
參考文獻
第4章 氧化
4 1 SiO2的結構、性質及應用
4 1 1 SiO2的結構
4 1 2 SiO2的性質
4 1 3 SiO2的應用
4 2 氧化工藝
4 2 1 干氧氧化
4 2 2 水汽氧化
4 2 3 濕氧氧化
4 2 4 氫氣和氧氣合成氧化
4 2 5 快速熱氧化
4 2 6 高壓氧化
4 2 7 等離子體氧化
4 3 熱氧化生長動力學
4 3 1 熱氧化動力學模型
4 3 2 CMOS技術中對薄氧化層的要求
4 4 氧化速率的影響因素
4 4 1 氧化劑分壓對氧化速率的影響
4 4 2 氧化溫度對氧化速率的影響
4 4 3 晶向對氧化速率的影響
4 4 4 摻雜影響
4 5 熱氧化過程中的雜質再分佈
4 6 Si-SiO2界面特性
4 7 氧化物的分析表徵
4 7 1 薄膜厚度的測量
4 7 2 薄膜缺陷的檢測
4 8 小結
習題
參考文獻
第5章 離子注入
5 1 離子注入系統及工藝
5 2 離子碰撞及分佈
5 2 1 核碰撞與電子碰撞理論
5 2 2 核阻滯本領和電子阻滯本領
5 2 3 投影射程
5 2 4 離子分佈
5 3 離子注入常見問題
5 3 1 溝道效應
5 3 2 陰影效應
5 3 3 離子注入損傷
5 3 4 熱退火
5 3 5 淺結形成
5 4 離子注入工藝的應用及最新進展
5 4 1 離子注入工藝的應用
5 4 2 離子注入的最新進展
5 5 離子注入的數值模擬
5 6 小結
習題
參考文獻
第6章 快速熱處理
6 1 快速熱處理工藝機理與特點
6 2 快速熱處理關鍵問題
6 2 1 光源與反應腔設計
6 2 2 硅片受熱不均勻的現象
6 2 3 溫度測量
6 3 快速熱處理工藝的應用及發展趨勢
6 3 1 快速熱處理工藝的應用
6 3 2 快速熱處理工藝的發展趨勢
6 4 小結
習題
參考文獻
第7章 光學光刻
7 1 光刻工藝概述
7 2 光刻工藝流程
7 2 1 襯底預處理
7 2 2 旋轉塗膠
7 2 3 前烘
7 2 4 對準與曝光
7 2 5 曝光后烘焙
7 2 6 顯影
7 2 7 堅膜
7 2 8 顯影后檢測
7 3 曝光光源
7 3 1 汞燈
7 3 2 準分子激光光源
7 4 曝光系統
7 4 1 接觸式
7 4 2 接近式
7 4 3 投影式
7 4 4 掩模版
7 4 5 環境條件
7 5 光刻膠
7 5 1 光刻膠類型
7 5 2 臨界調製傳輸函數
7 5 3 DQN正膠的典型反應
7 5 4 二級曝光效應
7 5 5 先進光刻膠
7 6 小結
習題
參考文獻
第8章 先進光刻
8 1 先進光刻機曝光系統
8 1 1 浸沒式光刻機
8 1 2 同軸與離軸照明技術
8 2 掩模版工程
8 2 1 光學鄰近效應修正
8 2 2 相移掩模
8 3 表面反射和駐波的抑制
8 4 電子束光刻
8 4 1 直寫式電子束光刻
8 4 2 電子束光刻的鄰近效應
8 4 3 多電子束光刻
8 4 4 投影式電子束光刻
8 5 X射線光刻
8 5 1 接近式X射線光刻
8 5 2 X射線光刻用掩模版
8 5 3 投影式X射線光刻
8 6 側牆轉移技術
8 7 多重曝光技術
8 8 納米壓印
8 8 1 模板加工製作技術
8 8 2 熱壓印技術
8 8 3 紫外納米壓印技術
8 8 4 柔性納米壓印技術
8 8 5 其他納米壓印技術
8 9 定向自組裝光刻技術
8 9 1 BCP微相分離原理
8 9 2 物理誘導方式
8 9 3 化學誘導方式
8 9 4 圖形轉移方式
8 10 小結
習題
參考文獻
第9章 真空、等離子體與刻蝕技術
9 1 真空壓力範圍與真空泵結構
9 1 1 活塞式機械泵
9 1 2 旋片式機械泵

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