微電子製造科學原理與工程技術 (美)斯蒂芬.A. 坎貝爾著 9787121447464 【台灣高等教育出版社】

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書名：微電子製造科學原理與工程技術
ISBN：9787121447464
出版社：電子工業
著編譯者：(美)斯蒂芬.A. 坎貝爾著
頁數：595
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1514114
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內容簡介

本書對微納製造技術的各個領域都給出了一個全面透徹的介紹，覆蓋了集成電路製造所涉及的所有基本單項工藝，包括光刻、等離子體和反應離子刻蝕、離子注入、擴散、氧化、蒸發、氣相外延生長、濺射和化學氣相淀積等。對每一種單項工藝，不僅介紹了它的物理和化學原理，還描述了用於集成電路製造的工藝設備。本書新增了製作納米集成電路及其他半導體器件所需的各種基本單項工藝，還介紹了22nm的FinFET器件、氮化鎵LED及薄膜太陽能電池、新型微流體器件的製造工藝流程。 本書可作為高等院校微電子、集成電路專業本科生和研究生相關課程的教材或參考書，也可供與集成電路製造工藝技術有關的專業技術人員學習參考。

目錄

第1篇 綜述與題材
第1章 微電子製造引論
1 1 微電子工藝：一個簡單的實例
1 2 單項工藝與工藝技術
1 3 本課程指南
1 4 小結
第2章 半導體襯底
2 1 相圖與固溶度°
2 2 結晶學與晶體結構°
2 3 晶體缺陷
2 4 直拉法（Czochralski法）單晶生長
2 5 Bridgman法生長GaAs
2 6 懸浮區熔法及其他單晶生長方法
2 7 晶圓片製備及其規格
2 8 小結與未來發展趨勢
習題
參考文獻
第2篇 單項工藝I：熱處理與離子注入
第3章 擴散
3 1 一維費克擴散方程
3 2 擴散的原子模型
3 3 費克定律的解析解
3 4 常見雜質的擴散係數
3 5 擴散分佈的分析
3 6 SiO2中的擴散
3 7 擴散分佈的數值模擬
3 8 小結
習題
參考文獻
第4章 熱氧化
4 1 迪爾-格羅夫氧化模型
4 2 線性與拋物線速率係數
4 3 初始階段的氧化
4 4 SiO2的結構
4 5 氧化層的特性
4 6 硅襯底及多晶硅氧化過程中摻雜劑的影響
4 7 硅的氮氧化物
4 8 其他可選的柵絕緣層
4 9 氧化系統
4 10 氧化工藝的數值模擬
4 11 小結
習題
參考文獻
第5章 離子注入
5 1 理想化的離子注入系統
5 2 庫侖散射°
5 3 垂直投影射程
5 4 溝道效應與橫向投影射程
5 5 注入損傷
5 6 淺結的形成
5 7 埋層介質
5 8 離子注入系統的問題和關注點
5 9 注入分佈的數值模擬
5 10 小結
習題
參考文獻
第6章 快速熱處理
6 1 灰體輻射、熱交換與光吸收
6 2 高強度光源與反應腔設計
6 3 溫度的測量
6 4 熱塑應力°
6 5 雜質的快速熱激活
6 6 介質的快速熱處理
6 7 金屬硅化物與接觸的形成
6 8 其他可選的快速熱處理系統
6 9 小結
習題
參考文獻
第3篇 單項工藝2：圖形轉移
第7章 光學光刻
7 1 光學光刻概述

第4篇 單項工藝3：薄膜
第5篇 工藝集成
附錄Ⅰ 縮寫詞與常用符號
附錄Ⅱ 部分半導體材料的性質
附錄Ⅲ 物理常數
附錄Ⅳ 單位轉換因子
附錄Ⅴ 誤差函數的一些性質

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