半導體器件原理簡明教程 (第二版) 傅興華 丁召 馬奎 楊發順 9787030749482 【台灣高等教育出版社】

*完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。
*本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。
印行年月：202303*若逾兩年請先於客服中心或Line洽詢存貨情況，謝謝。
台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。
書名：半導體器件原理簡明教程 (第二版)
ISBN：9787030749482
出版社：科學
著編譯者：傅興華 丁召 馬奎 楊發順
頁數：272
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1514105
可大量預訂，請先連絡。

內容簡介

本書在簡要介紹半導體物理知識的基礎上，討論了pn結、雙極型晶體管、結型場效應晶體管、絕緣柵場效應晶體管、金屬-半導體接觸和異質結、半導體光電子器件、其他半導體器件的基本結構、基本工作原理和基本分析方法。 本書語言簡明、物理概念清楚，可作為高等院校電子信息類相關專業半導體器件原理課程的教材，也可供有關科研人員和工程技術人員參考。

目錄

第1章 半導體物理基礎
1 1 晶體結構
1 2 能帶結構
1 3 半導體中載流子的統計分佈
1 4 載流子的漂移運動
1 5 載流子的擴散運動
1 6 非平衡載流子
1 7 半導體基本方程
習題
第2章 pn結
2 1 pn結的形成及其單嚮導電性
2 2 pn結空間電荷區基本特性
2 2 1 平衡pn結的能帶結構和載流子分佈
2 2 2 非平衡pn結的能帶結構和載流子分佈
2 2 3 pn結的電場和電勢分佈
2 3 pn結的直流特性
2 3 1 非平衡pn結擴散區的載流子分佈和擴散電流
2 3 2 pn結的勢壘複合電流和產生電流
2 3 3 正偏pn結的大注入效應
2 4 pn結的耗盡層電容
2 5 pn結的小信號交流特性
2 5 1 pn結的擴散電容
2 5 2 pn結的交流參數和等效電路
2 6 pn結的開關特性
2 7 pn結的擊穿
2 7 1 擊穿機理概述
2 7 2 雪崩擊穿條件
2 7 3 雪崩擊穿電壓的計算
習題
第3章 雙極型晶體管
3 1 雙極型晶體管的基本結構
3 2 雙極型晶體管內載流子的輸運過程
3 3 雙極型晶體管的電流放大係數
3 3 1 均勻基區晶體管的電流增益因子的簡化推導
3 3 2 均勻基區晶體管電流增益因子的數學推導
3 3 3 緩變基區晶體管的電流放大係數
3 3 4 發射區重摻雜條件下的禁帶變窄效應
3 3 5 大注入效應
3 4 晶體管的直流特性
3 4 1 晶體管的電流電壓方程
3 4 2 晶體管的擊穿電壓
3 4 3 縱向基區擴展效應
3 4 4 發射極電流集邊效應
3 4 5 晶體管的安全工作區
3 5 雙極型晶體管的頻率特性
3 5 1 雙極型晶體管頻率特性概述
3 5 2 延遲時間的計算
3 5 3 晶體管的電流放大係數的頻率特性
3 5 4 晶體管的高頻等效電路和最高振蕩頻率
3 6 雙極型晶體管的開關特性
3 6 1 晶體管工作區域的劃分及其飽和工作狀態
3 6 2 晶體管的開關過程
習題
第4章 場效應晶體管
4 1 結型場效應晶體管
4 1 1 結型場效應晶體管的工作原理
4 1 2 JFET的電流-電壓方程
4 1 3 JFET的直流參數和頻率參數
4 1 4 JFET的短溝道效應
4 2 絕緣柵場效應晶體管
4 2 1 半導體表面的特性和理想MOS結構
4 2 2 MOSFET結構及其工作原理
4 2 3 MOSFET的閾值電壓
4 2 4 MOSFET的電流電壓關係
4 2 5 MOSFET的亞閾區導電
4 2 6 MOSFET的擊穿電壓
4 2 7 MOSFET的高頻等效電路和頻率特性
4 2 8 MOSFET的短溝道效應
4 2 9 MOSFET閾值電壓的調整
4 2 10 MOSFET的縮比理論
4 2 11 熱電子效應和輻射效應
習題
第5章 金屬-半導體接觸和異質結
5 1 金屬-半導體接觸
5 1 1 理想金屬-半導體接觸
5 1 2 非理想效應
5 1 3 金屬-半導體接觸的電流電壓關係
5 1 4 歐姆接觸的實現方法
5 2 異質結
5 2 1 異質結半導體材料能帶結構的對應關係
5 2 2 異質結的能帶圖的畫法
5 2 3 異質結的基本特性
5 2 4 同型異質結
5 3 應變異質結
習題
第6章 半導體光電子器件
6 1 半導體的光吸收和光發射
6 1 1 光的基本性質
6 1 2 光在半導體中的吸收
6 1 3 半導體的光發射
6 2 太陽能電池
6 3 光探測器件
6 4 發光二極體
6 4 1 發光二極體基礎
6 4 2 能帶工程
6 5 半導體激光器件
6 5 1 半導體激光器件基礎
6 5 2 量子阱激光器
6 5 3 垂直腔面發射激光器
習題
第7章 其他半導體器件
7 1 信息存儲器件
7 1 1 MOS電容器的動態特性
7 1 2 隨機存取存儲器
7 1 3 閃爍存儲器
7 1 4 CCD器件
7 2 負阻器件
7 2 1 隧道二極體
7 2 2 IMPATT器件
7 2 3 Gunn二極體
7 2 4 三端負阻器件
7 3 功率器件
7 3 1 晶閘管
7 3 2 VDMOS和LDMOS
7 3 3 絕緣柵控雙極型晶體管
習題
附錄A 物理常數表
附錄B 晶體結構和晶格常數（A）
附錄C 重要半導體的基本性質
附錄D 硅、砷化鎵和鍺的重要性質
附錄E 二氧化硅和氮化硅的性質
附錄F 硅中的雜質能級
附錄G 砷化鎵中的雜質能級
參考文獻
詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於客服中心或Line或本社留言板留言，我們即儘速上架。

大陸簡體正版圖書，訂購後正常情形下約兩周可抵台。