集成電路器件抗輻射加固設計技術 閆愛斌 倪天明 黃正峰 崔傑 9787030747143 【台灣高等教育出版社】

*完成訂單後正常情形下約兩周可抵台。
*本賣場提供之資訊僅供參考，以到貨標的為正確資訊。
印行年月：202303*若逾兩年請先於客服中心或Line洽詢存貨情況，謝謝。
台灣(台北市)在地出版社，每筆交易均開具統一發票，祝您中獎最高1000萬元。
書名：集成電路器件抗輻射加固設計技術
ISBN：9787030747143
出版社：科學
著編譯者：閆愛斌 倪天明 黃正峰 崔傑
頁數：214
所在地：中國大陸 *此為代購商品
書號：1514102
可大量預訂，請先連絡。

內容簡介

本書從集成電路器件可靠性問題出發，具體闡述了輻射環境、輻射效應、軟錯誤和模擬工具等背景知識，詳細介紹了抗輻射加固設計（RHBD）技術以及在該技術中常用的相關組件，重點針對錶決器、鎖存器、主從觸發器和靜態隨機訪問存儲器（SRAM）單元介紹了經典的和新穎的RHBD技術，扼要描述了相關實驗並給出了容錯性能和開銷對比分析。本書共分為6章，分別為緒論、常用的抗輻射加固設計技術及組件、表決器的抗輻射加固設計技術、鎖存器的抗輻射加固設計技術、主從觸發器的抗輻射加固設計技術以及SRAM單元的抗輻射加固設計技術。通過學習本書內容，讀者可以強化對集成電路器件抗輻射加固設計技術的認知，了解該領域的當前最新研究成果和相關技術。

目錄

前言
第1章 緒論
1 1 輻射環境
1 1 1 自然輻射環境
1 1 2 人造輻射環境
1 2 輻射效應
1 2 1 單粒子效應
1 2 2 累積效應
1 3 重要概念
1 3 1 故障、錯誤與失效
1 3 2 軟錯誤
1 4 軟錯誤模型
1 4 1 器件級模型
1 4 2 電路級模型
1 5 電子設計自動化模擬工具
1 5 1 Synopsys HSPICE
1 5 2 Cadence Virtuoso
1 6 基於RHBD技術的集成電路器件存在的問題
1 7 本章小結
第2章 常用的抗輻射加固設計技術及組件
2 1 常用的抗輻射加固設計技術
2 1 1 空間冗餘技術
2 1 2 時間冗餘技術
2 2 常用的抗輻射加固組件
2 2 1 C單元
2 2 2 1P2N和2P1N單元
2 2 3 DICE單元
2 2 4 施密特反相器
2 3 抗輻射能力的定義
2 4 本章小結
第3章 表決器的抗輻射加固設計技術
3 1 傳統的表決器設計
3 2 基於多級C單元的表決器設計
3 2 1 電路結構與工作原理
3 2 2 實驗驗證與對比分析
3 3 基於電流競爭的表決器設計
3 3 1 電路結構與工作原理
3 3 2 表決器的應用
3 3 3 實驗驗證與對比分析
3 4 本章小結
第4章 鎖存器的抗輻射加固設計技術
4 1 未加固的標準靜態鎖存器設計
4 2 經典的抗輻射加固鎖存器設計
4 2 1 抗單節點翻轉的鎖存器設計
4 2 2 抗雙節點翻轉的鎖存器設計
4 2 3 抗三節點翻轉的鎖存器設計
4 2 4 過濾SET脈衝的鎖存器設計
4 3 單節點翻轉自恢復的RFC鎖存器設計
4 3 1 電路結構與工作原理
4 3 2 實驗驗證與對比分析
4 4 抗雙/三節點翻轉的鎖存器設計
4 4 1 HSMUF雙容鎖存器
4 4 2 基於浮空點的雙容鎖存器
4 4 3 超低開銷的LCDNUT/LCTNUT鎖存器
4 4 4 恢復能力增強的DNUCT/TNUCT鎖存器
4 4 5 完全三恢的鎖存器
4 5 過濾SET脈衝的鎖存器設計
4 5 1 PDFSR鎖存器
4 5 2 RFEL鎖存器
4 6 本章小結
第5章 主從觸發器的抗輻射加固設計技術
5 1 未加固的主從觸發器設計
5 2 經典的抗輻射加固主從觸發器設計
5 3 抗節點翻轉主從觸發器設計
5 3 1 電路結構與工作原理
5 3 2 實驗驗證與對比分析
5 4 本章小結
第6章 SRAM單元的抗輻射加固設計技術
6 1 未加固的SRAM存儲單元設計
6 1 16 TSRAM
6 1 28 TSRAM
6 2 經典的抗輻射加固SRAM存儲單元設計
6 2 1 抗單節點翻轉的SRAM存儲單元設計
6 2 2 抗雙節點翻轉的16T SRAM存儲單元設計
6 3 抗單節點翻轉的SRAM存儲單元設計
6 3 1 QCCM10T/QCCM12T SRAM
6 3 2 QCCS/SCCS SRAM
6 3 3 SRS14T/SESRS SRAM
6 4 抗雙節點翻轉的SRAM存儲單元設計
6 4 1 電路結構與工作原理
6 4 2 實驗驗證與對比分析
6 5 本章小結
參考文獻

詳細資料或其他書籍請至台灣高等教育出版社查詢，查後請於客服中心或Line或本社留言板留言，我們即儘速上架。

大陸簡體正版圖書，訂購後正常情形下約兩周可抵台。